原子層沉積系統采用美國AII微量氧分析儀與露點儀
一、設備概述：
原子層沉積系統是專門為工業化大規模生產而研發的4腔室原子層沉積系統。該系統配備多種材料的標準沉積工藝配方，滿足工業應用需求。
二、產品優勢：
先進的軟件控制系統：系統集工藝配方、參數設置、權限設定、互鎖報警、狀態監控等功能于一體；
三、技術指標：原子層沉積系統采用美國AII微量氧分析儀與露點儀
基片尺寸 8英寸及以下
基片加熱溫度 室溫～500℃，控制精度±0.1℃
前驅體輸運系統 標準2路前驅體管路，可選配
前驅體管路溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃
源瓶加熱溫度 室溫～200℃，控制精度±0.1℃
ALD閥 Swagelok快速高溫ALD專用閥
本底真空 ＜5*10-3Torr，進口防腐泵
載氣系統 N2或者Ar
處理能力 4腔室，每腔室400片
生長模式 連續高速沉積模式
控制系統 PLC+觸摸屏或者顯示器
電源 50-60Hz, 380V/40A交流電源
沉積非均勻性 非均勻性＜±1% 片間非均勻性 <±1.5%
設備尺寸 3000mmx800mmx2400mm
四、可沉積薄膜種類：原子層沉積系統采用美國AII微量氧分析儀與露點儀
單 質：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
氧化物：TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…
其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…
五、應用實例：
高K柵氧化層，存儲容性電介質，銅互連中高深寬比擴散阻擋層，OLED無針孔鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結構鍍膜，特種光纖摻雜，太陽能電池，平板顯示器，光學薄膜，其它各類特殊結構納米薄膜原子層沉積系統采用美國AII微量氧分析儀與露點儀
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